Mikhail Vasilevskiy

Data de nascimento: 11 de Maio de 1960 Naturalidade: Stavropol’skii krai, URSS Nacionalidade: Russo Estado civil: Casado, um filho Educação e Qualificações Academicas: - Agregação (Universidade do Minho), 2004 - Equivalência a Grau de Doutor em Física (Universidade do Minho), 2000. - Grau de Doutoramento em Física de Semicondutores (Gorkii State University), 1985. - Licenciatura em Física (diploma ‘Ad Laume’ da Gorki State University), 1981. - Curso Universitário em Física, Gorkii State University, URSS, Set. de 1976 a Julho de 1981. Progressão na Carreira: - Professor Associado Convidado, Departamento de Física, Universidade do Minho, Braga, Portugal, desde Out. de 1999; - Cientista Convidado, Universidade do Minho, Braga, Portugal, Out. de 1996 a Out. de 1999; - Professor Associado, N.I.Lobachevskii University of Nizhnii Novgorod, Russia, Jan. de 1992 a Out. de 1996. - Investigador Superior, Gorkii State University, Junho de 1989 a Jan. de 1992; - Professor Auxiliar de Física, Gorkii State University, Dez. de 1984 a Junho de 1989; - Investigador, Physical and Technical Research Institute, Gorkii, URSS, Set. de 1981 a Dez. de 1984. Estadias: - Investigador Convidado, University of Essex, Inglaterra, Nov. de 1990 a Set. de 1991; - Professor Visitante, Universidade Federal Fluminense, Niterói, RJ, Brasil, Dez. de 1993 a Dez. de 1994. Actividade Docente Leccionei os seguintes cursos: (i) Cálculos Numéricos e Métodos Computacionais (de graduação); (ii) Capítulos Seleccionados de Física de Semicondutores (de graduação e pós-graduação); (iii) Semicondutores em Campos Eléctricos e Magnéticos Fortes (de graduação); (iv) Fundamentos Físico-Químicos de Tecnologia de Semicondutores (de graduação); (v) Fenómenos de Transporte em Semicondutores (Física de Semicondutores (de pós-graduação); (vi) Fundamentos de Física de Semicondutores (de graduação e pós-graduação); (vii) Física Geral IV (Introdução à Física Moderna) (de graduação); (viii) Física dos Semicondutores (de graduação); (ix) Física Geral III (Electricidade e Magnetismo) (de graduação), (x) Física dos Meios Contínuos (de graduação); (xi) Termodinâmica (de graduação); (xii) Física do Núcleo e das Partículas Elementares (de graduação). Domínios Científicos: Física do Estado Sólido, Física e Óptica de Semicondutores, Física de Crescimento de Cristais. Áreas de Investigação: - Propriedades de electrões e fonões e a interacção electrão-fonão desordem em ligas e nanoestructuras de semicondutor (teoria e simulação); - Propriedades ópticas dos meios desordenados; - Fenómenos cooperativos atómicos e mecânica estatística de desordem atómica em materiais sólidos. Orientação de Trabalhos Científicos - Trabalhos de Mestrado: Desde o ano 1985, fui responsável pela orientação científica dos seguintes alunos da Universidade de Gorki (Nizhni Novgorod): S.M. Rudenko, M.V. Dryakhlova, I.V. Smirnova, A.V. Vorobiev, A.S. Savinov. e M.A. Klimov. - Trabalhos de Doutoramento: Fui (co-) orientador dos trabalhos de O.V. Vikhrova (Doutoramento pela Universidade de Nizhni Novgorod, concluído em 2000), S.V. Stroganova (ainda não concluiu), A.G. Rolo (Universidade do Minho, concluído em 2003) e S.A. Filonovich (Universidade do Minho, concluído em 2003). Lista das publicações mais recentes A lista completa das publicações inclui 1 livro, mais de 70 artigos em revistas com avaliação e mais de 100 apresentações em congressos internacionais. As publicações mais recentes (dos últimos 5 anos) são: 1. A.G.Rolo, M.I.Vasilevskiy, N.P.Gaponik, D.V.Talapin, A.L.Rogach and M.J.M.Gomes, “Confined optical vibrations in CdTe quantum dots and clusters”, physica status solidi (b) 229 (2002), p.433-437. 2. M.I.Vasilevskiy, A.G.Rolo, N.P.Gaponik, D.V.Talapin, A.L.Rogach and M.J.M.Gomes, “Dipole-active vibrations confined in InP quantum dots”, Physica B 316-317 (2002), p.452-4. 3. S.A.Filonovich, Yu.P.Rakovitch, M.I.Vasilevskiy, M.V.Artemyev, D.V.Talapin, A.L.Rogach, A.G.Rolo and M.J.M.Gomes, “Probing the exciton density of states using integrated photoluminescence spectroscopy”, Chemical Monthly (Monatshefte fuer Chemie) 133 (2002), p.909-918. 4. I.Boerasu, M.I.Vasilevskiy, M.Pereira, M.F.Costa and M.J.M.Gomes, “Optical properties of PZT 65/35 thin films deposited by sol-gel”, Ferroelectrics 268 (2002), p.187-192. 5. Yu.P.Rakovitch, M.V.Artemyev, A.G.Rolo, M.I.Vasilevskiy, and M.J.M.Gomes, “Reply to Comment on Third-order optical nonlinearities in thin films of CdS nanocrystals”, Physica Status Solidi (b) 231 (2002), p.115-6. 6. A.G.Rolo, M.V.Stepikhova, S.A.Filonovich, C.Ricolleau, M.I.Vasilevskiy, and M.J.M.Gomes, “Microstructure and photoluminescence of CdS-doped silica films grown by magnetron RF-sputtering”, Physica Status Solidi (b) 232 (2002), p.44-9. 7. M.I.Vasilevskiy, “Dipolar vibrational modes in spherical semiconductor quantum dots”, Phys. Rev. B 66 (2002), 195326 (9 pages). 8. I.Boerasu, M.Pereira, M.I.Vasilevskiy, M.J.M.Gomes, B.Watts, F.Leccabue and P.M.Vilarinho, “Properties of ferroelectric films based on Nb-modified PZT produced by PLD technique”, Applied Surface Science 208-209 (2003), p.604-10. 9. M.I.Vasilevskiy, O.V.Vikhrova and S.N.Ershov, “Influence of Cluster Formation on Localization of Optical Phonons in Two-Dimensional Pseudobinary Substitutional Solid Solutions”, Phys. Solid State 45 (2003), p.1099-1107. 10. V.I.Boev, S.A.Filonovich, M.I.Vasilevskiy, C.J.Silva, M.J.M.Gomes, D.V.Talapin and A.L.Rogach, “Dipole-dipole interaction effects on the optical response of quantum dot ensembles”, Physica B 338 (2003) p.347-52. 11. I.Boerasu, L.Pintilie, M.Pereira, M.I.Vasilevskiy and M.J.M.Gomes, “Electrical and Photoelectric Properties of PZT 65/35 Thin Films Deposited by Sol Gel: Competition between Ferroelectric and Semiconductor Properties”, J. Appl. Phys. 93 (2003), p.4776-83. 12. M.I.Vasilevskiy, R.P.Miranda, E.V.Anda and S.S.Makler, “Polaron effect on the optical absorption, emission and Raman scattering in quantum dots”, Semicond. Sci. Technol. 19 (2004), p.S312-5. 13. N.V.Baidus, B.N.Zvonkov, P.B.Mokeeva, E.A.Uskova, S.V.Tikhov, M.I.Vasilevskiy, M.J.M.Gomes and S.A.Filonovich, “1.3-1.5 µm electroluminescence from Schottky diodes made on Au-InAs/GaAs quantum-size heterostructures”, Semicond. Sci. Technol. 19 (2004), p.S469-71. 14. M.I.Vasilevskiy, E.V.Anda and S.S.Makler, “Electron-phonon interaction effects in semiconductor quantum dots: a non-perturbative approach”, Phys. Rev. B 70 (2004), 035318 (14 pages). 15. A.I.Belogorokhov, L.I.Belogorokhova, R.P.Miranda, M.I.Vasilevskiy, and S.A.Gavrilov, “Mixed optical phonon modes in semiconductor nanocrystals synthesized in porous amorphous Al2O3 matrix”, Physica Status Solidi (c) 1 (2004), p.2638-41. 16. M.I.Vasilevskiy and R.P.Miranda, “Is polaron effect important for Raman scattering in self-assembled quantum dots?”, Physica Status Solidi (c) 2 (2005), p.862-66. 17. N.V.Baidus, A.Chahboun, M.J.M.Gomes, M.I.Vasilevskiy, P.B. Demina, E.A. Uskova and B.N.Zvonkov, “Suppression of the photoluminescence quenching effect in self-assembled InAs/GaAs quantum dots”, Appl. Phys. Lett. 87 (2005), 053109. 18. M.I.Vasilevskiy, M.I.C.Ferreira, “Física dos semicondutores: fundamentos, aplicações e nanoestruturas”, Edições Almedina, S.A., Portugal, 2005, ISBN: 972-40-2654-X, 337p. 19. A.M.Satanin, Yong S. Joe, Chang Sub Kim, and M.I.Vasilevskiy, “Localization of Phonon-Polaritons in Disordered Polar Media”, Phys. Rev. E 72 (2005) 066618 (11 pages). 20. A.S.Vasin and M.I.Vasilevsky, “Modelling of the Diffusion Instability of Mercury Atoms in Cadmium-Mercury-Telluride Alloy”, Phys. Solid State 48 (2006), p.37-41.


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